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突破7nm物理极限,揭秘美国1nm晶体管黑科技

2016-10-10不详佚名
商业因素考虑,大部分IC设计公司恐怕依旧会选择相对成熟,或者称为相对“老旧”的制造工艺。

对于现在的中国半导体产业而言,与其花费巨大人力物力财力去探索突破7nm物理极限,还不如将有限的人力物力财力用于完善28nm制程工艺的IP库和实现14nm制造工艺的商业化量产。毕竟,对于国防安全领域而言,现有的制造工艺已完全够用(美国的很多军用芯片都还是65nm的),对于商业芯片而言,很多芯片对制程的要求并不高,像工控芯片、汽车电子、射频等都在使用在一些硬件发烧友看起来显得老旧的制程,而对于PC和手机、平板电脑的CPU、GPU而言,14nm/16nm的制造工艺已经能将性能和功耗方面的需求平衡的很好。笔者认为,相对于耗费大量资源去研发新材料突破7nm物理极限,还不如脚踏实地地解决现实问题。

本文来源:不详 作者:佚名

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