Technology Roadmap for Semiconductors ITRS）出炉，这份由全球各大洲的半导体工业的专家共同起草的长达500页的双年报告，是广大从业者的重要参考。报告从设备调试、工艺集成、射频（RF）、微机电（MEMS）、光刻、封装测试、改善良品率等多方面深入探讨半导体工业的未来。

在过去，报告准确的预测过现在流行的finfet技术的流行，但也忽视过半导体的很多瓶颈，比如以下这份1993年的报告（也就是最早的报告）：

实际的特征线宽的发展表面超越了1993年的预测，2001年就开始的130纳米工艺在预测中被放到了2004年，而这时候正是intel撞上了90nm大墙。互连层则落后不少，预测中2004年将采用6层互连，实际上2002年AMD消费级的Thoroughbred B处理器就用到了9层铜互连。功率问题恐怕是整个业界的始料未及，2001年40瓦的功耗早已被主频大战抛在脑后，正如本文开头所述，半导体偏离了正轨，让高功耗时代提早到来，经历过那个时代的玩家都知道，2001年的高端散热器放在2004年根本小菜一碟，因为根据长期预测，散热大规模引入热管可以等到2004年，这就是偏离的后果。

至于芯片大小方面，如果用熟知的CPU、GPU来判断的话1250平方毫米可能是天方夜谭了，毕竟就算到了今天，14/16nm时代，150亿晶体管，610平方毫米的NVIDIA P100处理器几乎到了认知极限。但这毕竟是整个行业的报告，就拿图像传感器来说，全幅CIS的尺寸大致是864平方毫米，业界量产的时间也正好是2000~2001年，如今，索尼已经能够量产33X44幅面的传感器（面积接近1500平方毫米），所以面积一说相当准确。

废话了这么一长串只是想表达，每一期的报告，都是相当有技术含量的存在，值得参考，那么，未来10年~15年会是怎么一个状况呢？

450毫米晶圆和2nm制程

450毫米晶圆（18寸）是十年前就在讨论的概念，然而由于这十年间半导体世界被各种障碍搞得团团转，以至于更大的晶圆都被人遗忘了，此次ITRS给出了新的时间表，2021年的DRAM工艺上会用到450毫米大晶圆，还要等五年。

到了2021年，DRAM的核心面积将缩小到780平方纳米，当今的数字为3480，2021将是最后的finfet（鳍式场效应晶体管），在2030年会看到2nm工艺。

今天的当红小生Finfet还有5年的发展期，进入7nm的时间表是2019年，2021年在5nm上终结。让Athlon64大红大紫的SOI工艺（绝缘体上硅）则会在2017年终结，末代皇帝将是10nm FDSOI，取代Finfet的将是VGAA（vertical gate all-around），2021年登场，预计会在2030年进入2nm制程，这时候的核心电压仅为0.4V。制程的未来之路是坎坷的，5nm以后会怎样仍然有很大变数。

NAND闪存，大家不要慌，不会有什么QLC了，前些年在刚引入TLC NAND（3bit）的时候业界还在预测QLC（4bit）的存在，经过这些年的发展可能业界自己对QLC的可行性已经失去信心，毕竟TLC已经是毒瘤般的表现，于是ITRS的预测中完全没有看到QLC的存在，万幸。

未来NAND仍然得靠3D堆叠来实现扩容，当前单封装密度为三星850EVO上48层堆叠的256Gbit，到了2022年可以达到128层1Tbit，2030年到512层4Tbit，这时候就会看到64TB的SSD了。

手持平台32核8K显示是未来?

ITRS对手持平台的预测是基于当前手机SOC蓬勃发展的，2016年6核CPU 12核GPU，26.9Gbps内存带宽，4.42瓦功耗的数据实际已经开始偏离效率，从2014年开始手机SOC对先进工艺的渴望就赶上了台式机CPU，以至于近年台积电不断表示10nm要比intel早，intel也毫不在乎。到2019年也许还能看到18核3.2Ghz，49GPU核心的怪物，但2024年真能看到3.8Ghz 32核CPU 189核GPU轻松实现8K应用的怪物么？值得怀疑，毕竟今天的表现都已经是对当前工艺的深度榨取。

传统意义上的摩尔定律早已消亡，但在今年的ITRS报告中依旧可以清楚的看到摩尔定律的影子，尤其是那张移动SOC的发展路线图，乐观程度堪比没有撞上90nm大墙时候的intel，这就是所谓的永生吧。