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NVIDIA新Pascal显卡工艺大提升:集170亿晶体管

2015-7-27不详佚名

7月26日消息,日前,最新来自网上的爆料显示,Nvidia现任高端显卡的Maxwell架构GPU核心GM200的继任者GP100已开始有蛛丝马迹浮出水面,据称下一代新的Pascal(帕斯卡尔)架构GPU集成的晶体管数将是现Titan X内部Maxwell架构的两倍还多

FinFET工艺下内核堆了170亿晶体管

众所周知,Nvidia  GTX Titan X的大核心仅内置高达80亿个晶体管,但如果消息属实,那么Pascal核心将上升至非常夸张的170亿个。消息表示,Nvidia设计的新一代Pascal架构GPU将交由台积电(TSMC)制造,不过已经开始采用最新的FinFET 16nm工艺制程,正是得益于新工艺,GPU不仅增加了一倍的晶体管数量,而且芯片尺寸小了很多。

拥有更先进几何布局的FinFET工艺的固有增益很高,能够很好的控制晶体管特性。结果就是可以开发性能更好的电路,而且FinFET还有诸多的好处。例如,输出电流较小。说实话,AMD的下一代显卡也交由台积电制造,并且最近台积电可谓如鱼得水,对外声称即将在2016年推进10nm的制造工艺,因此我们期待未来两年内芯片新能的大幅提升。不过,在AMD和Nvidia的显卡线路图中,至少要等到2017年才会推出10nm工艺的GPU核心,甚至可能还会依靠14nm FinFET工艺进行过渡。

Pascal在2016年登场

除了最新工艺的Pascal架构GPU之外,Nvidia也将在新的旗舰显卡上使用第二代高带宽HBM显存(目前AMD是第一代),由储存厂商海力士提供,显存容量可高达32GB。第二代HBM显存每个DRAM Die容量达到8Gb(1GB),速率也提升到了2Gbps,带宽256GB/s,4Hi堆栈容量可达4GB,8Hi堆栈则可以达到8GB容量。

相比之下,AMD R9 Fury X使用的第一代HBM显存每个DRAM Die的容量是2Gb,速率1Gbps,4Hi堆栈的容量是1GB。正因为第二代HBM显存堆栈层数足够,单颗芯片容量随意可以堆出1GB及8GB的容量,只就算配4颗显存芯片,其显存容量也能轻松达到16GB、32GB,所以GP100核心旗舰配备32GB的显存也不足为奇。

话说回来,传闻GPU GP100核心将有两个版本,其中一款是消费级旗舰显卡GeForce GTX 1080,另一款为专业级显卡,可能只有Quadro、Tesla这类专业显卡用上32GB的大显存。预计Nvidia将在明年第一季度召开发布会,正式发布Pascal显卡。

本文来源:不详 作者:佚名

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