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Intel黑科技:3D XPoint非易失性硬盘公布

2015-8-20不详佚名

昨天开幕的IDF会议上,Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术,现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘,性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已,别忘了3D XPoint闪存本身很特殊,既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存,Intel还准备了DIMM内存型的Octane,号称成本只有DDR内存的一半,但容量是DDR的4倍,更关键的是它还是非易失性的,断电不丢失数据。

Intel在IDF会议上演示了SSD型的Octane硬盘,不过DIMM插槽型的Octane只有解说,没有演示。从Hardware.fr的报道来看,Intel提到DIMM型的3D XPoint内存比目前的DDR内存更有优势,成本只有DDR的一半,但容量可达DDR内存的4倍。

3D XPoint闪存发布时,Intel提到过初期的核心容量是128Gbt(16GB),那么8核心的3D XPoint内存就有128GB容量了,如果是16颗核心,那么单条容量甚至可达256GB,要知道目前单条16GB的内存都很少,因为DDR内存的核心容量普遍是4Gb,新一代的才有8Gb(1GB容量)而已,与NAND闪存的核心容量相差甚远。

Intel提到,DIMM插槽型的Octane(应该称之为硬盘还是内存呢?)首先会用于服务器级的Skylake平台(Skylake-E/EP要到明年才能发布),看起来Skylake处理器内部应该会集成特别的内存控制器,只不过目前还不知道具体细节。

那么DIMM插槽类型的Octane能否真正充当系统内存使用?这看起来还不确定,因为原文提到这种“内存”可以跟DDR4内存混插,而且需要DDR4内存才能启动,Octane看起来更像是二级内存。

不论哪种情况,现在可以确定的是这种神奇的Octane内存不会应用其他平台,包括现在的桌面版Skylake处理器。

众所周知,DRAM与NAND已经诞生了数十年,二者各有优缺点:DRAM能够提供纳秒级延迟水平与几乎无限的耐久能力,但其存在着存储单元较大而价格昂贵、存储单元拥有易失性以及功耗较高等问题;而NAND的延迟过高(特别是写入操作),写入周期有限,但其存储单元为非易失性而且整套结构更为高效。因此一直以来,二者都是协同合作,即DRAM作为内存/缓存机制,而NAND则负责处理数据存储。

英特尔3D XPoint则有望打破这一僵局,该技术介于DRAM和NAND之间,其使用寿命是NAND的千倍,读取延迟也可以降到纳秒级别。因此,3D XPoint完全可以弥补了NAND的致命缺陷,但是要取代DRAM还需要时间。

本文来源:不详 作者:佚名

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