天下网吧 >> 网吧系统 >> 系统动态 >> 正文

让苹果iPhone7“飞起来”:闪迪、东芝新3D NAND闪存问世

2015-8-6不详佚名

IT之家讯 8月6日消息,日前,闪迪和东芝两家闪存厂商不约而同,宣布了旗下最新3D NAND技术的闪存芯片即将问世,速度将大幅提升,同时能耗将进一步降低。

闪迪和东芝宣布开发出了世界第一款48层3D NAND闪存,采用3bit/cell多值化技术,容量为32GB。目前,闪迪方面已经开始试产“256Gbit X3”芯片,而东芝预计将于2015年9月开始供应样片。据悉,该芯片采用了15纳米工艺,比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍,而能耗将进一步降低。并且,因为采用了3D堆栈技术,新芯片的面积将缩小,非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

目前,闪迪和东芝是苹果iPhone6、iPhone6 Plus的主要闪存芯片供应商,而且,据消息透露,两家厂商已经基本完成了向下一代苹果iPhone6s、iPhone6s Plus第一阶段的供货任务。也就是说,明年iPhone7很可能会搭载上述两家厂商的新型3D NAND闪存芯片,这将让iPhone7在储存能力、数据传输速度上获得飞跃。

本文来源:不详 作者:佚名

声明
声明:本站所发表的文章、评论及图片仅代表作者本人观点,与本站立场无关。若文章侵犯了您的相关权益,请及时与我们联系,我们会及时处理,感谢您对本站的支持!联系Email:support@txwb.com,系统开号,技术支持,服务联系QQ:1175525021本站所有有注明来源为天下网吧或天下网吧论坛的原创作品,各位转载时请注明来源链接!
天下网吧·网吧天下
  • 本周热门
  • 本月热门
  • 阅读排行