IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下，并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米，每单位容量 2bit，总容量8GB，相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番，内核面积却小了十分之一。

     Intel NAND闪存业务市场经理Troy Winslow打了个比方：新闪存以不超过CD光盘中间孔的大小存储了十倍于光盘容量的数据。

     对于目前闪存设备容量偏小、使用寿命有限的问题，美光NAND闪存业务市场经理Kevin Kilbuck声称，他们将在几个月内发布新型固态硬盘，初步解决这些问题。

     三星宣布将在今年第二季度投产27nm NAND闪存，海力士也已经宣布了26nm NAND闪存，不过Troy Winslow表示：“我们相信Intel、美光的领先优势即使没有9-12个月，也有5个月。”
 

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