内存在电脑中的重要性和地位仅次于CPU，其品质的优劣对电脑性能有至关重要的影响。为充分发挥内存的潜能，必须在BIOS设置中对与内存有关的参数进行调整。下面针对稍老一点的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ处理器的Intel 815E/815EP芯片组主板、VIA(威盛)694X芯片组主板和支持AMD Thunder bird(雷鸟)、Duron(钻龙)处理器的VIA KT133/133A芯片组主板，介绍如何在最常见的Award BIOS 6．0中优化内存设置。对于使用较早芯片组的主板和低版本的Award BIOS，其内存设置项相对要少一些，但本文所介绍的设置方法同样是适用的。

　　Intel 815E/815EP芯片组主板

　　在这类主板BIOS的Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包含以下内存设置项：

　　Set SDRAM Timing By SPD(根据SPD确定内存时序)

　　可选项：Disabled，Enabled。

　　SPD(Serial Presence Detect )是内存条上一个很小的芯片，它存储了内存条的工作参数信息。如果使用优质的品牌内存，则可以将DRAM Timing By SPD设置成Enabled，此时，就无需对下面介绍的BIOS内存参数进行设置了，系统会自动根据SPD中的数据确定内存的运行参数。有些兼容内存的SPD是空的?或者感觉某些品牌内存的SPD参数比较保守，想充分挖掘其潜能，则可以将该参数设置成Disabled，这时，就可以对以下的内存参数进行调整了。

　　SDRAM CAS Latency Time(内存CAS延迟时间)

　　可选项：2，3。

　　内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家感觉Intel的主板比较挑内存。
　　SDRAM Cycle Time Tras/Trc(内存Tras/Trc时钟周期)

　　可选项：5/7，7/9。

　　该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间(Row Active Time)，它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间(Row Cycle Time)，它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。

　　SDRAM RAS-TO-CAS Delay(内存行地址传输到列地址的延迟时间)

　　可选项：2，3。

　　该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。

　　SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)

　　可选项：2，3。

　　该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据。

　　Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的内存保留区)

　　可选项： Disabled，Enabled。

　　一些特殊的ISA扩展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的内存区域，该参数设为Enabled就将该内存区域保留