2003年，EUV光刻系统当时的积极支持者Intel公司认为EUV光刻设备的目标定价应在2000万美元较为合适。目前各大半导体厂商普遍采用的是193nm沉浸式光刻系统（光**长193nm），而采用EUV光刻设备（波长13.5nm）的目的是待193nm沉浸式光刻系统不能满足产品生产要求时取而代之。

不过，EUV光刻系统的推广普及日程多次延后，与此相对的是，系统的开发研制费用则成指数级增长，由此导致设备的制造成本已经完全失控。举例而言，ASML公司最早的EUV机型--alpha EUV光刻机（采用DPP：DiSCharge-Produced Plasma光源）的单价据报已经达到了6000万美元的水平，而IMEC和Sematach两家公司则是这种机型的首批两家用户。

尽管如此，EUV系统仍有一线生机。正像以前媒体所报道的那样，ASML公司的EUV光刻机型共取得了六份订单，而上公司初期生产的EUV机型（机型代号NXE:3100，为alpha机型的下一代产品,采用LPP：Laser-Produced Plasma光源）都已经被订购一空，这款机型定于今年年底正式交货。据报道，这款机型的售价高达9000万美元。

另外，据 Barclays Capital市调公司透露，除了初期的NXE:3000机型之外，荷兰ASML公司下一代EUV光刻机产品NXE:3300也取得了10份订单。有分析师分析，这款新机型的订购用户主要有Hynix，IMEC,Intel,三星,东芝以及台积电公司这几家。


 

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