2月份，AMD新一代的AM3版本Phenom II处理器相继在日本秋叶原市场上市，相信很快在国内市场也能看到AM3 Phenom II处理器的芳踪。在新一代的Phenom II处理器上，除了采用了45nm工艺制程之外，另外一大亮点就是集成了DDR2与DDR3内存控制器，这也标志着AMD正式踏进了DDR3阵营。

　　AM3版本Phenom II陆续上市

　　两大巨头的推波助澜是DDR3内存普及的最重要原因

　　而早在2008年，Intel早已推出了支持DDR3内存的Core i7处理器，基于Nehalem架构的Core i7处理器是Intel首款整合了DDR3内存控制器的CPU，在此前，Intel CPU并不整合内存控制器，因此一些4系列主板其实也能支持DDR3内存。

　　而从Intel与AMD的产品路线图来看，DDR3内存已经成为了它们新产品的标准规格。因此，DDR3内存取代DDR2内存亦成为了板凳上的钉钉。但是，从目前的情况来看，消费者对于DDR3内存的认识并不多，一些玩家亦认为，DDR3内存由于迟延高，在性能上并不如高频的DDR2内存，事实是否真的如此呢?

　　DDR2与DDR3内存的区别

　　很多人都只记住了DDR3内存延迟高的特点，但是对于DDR3内存，其实不少人都缺乏了解。下面，我们就与大家一起来温习一下DDR3内存的特点。

　　与DDR2内存相比，DDR3内存最大的特点就是频率的提升。从800往后一直延深到1600MHz，并且如果DDR3还能继续提升，JEDEC仍然可以补充标准以达到更高的频率。除了频率之外，DDR3内存在不少技术指标方面均有提升。

　　逻辑Bank数量

　　DDR3逻辑Bank数量是DDR2的两倍，前者起步逻辑Bank达到了8个，而后者只有4Bank和8Bank的设计。

　　封装(Packages)

　　DDR3 8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。

　　突发长度(BL，Burst Length)

　　DDR3的预取为8bit，突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，此外，DDR3增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

　　寻址时序(Timing)

　　DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

　　重置(Reset)

　　重置是DDR3新增的一项重要功能，当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。

　　ZQ校准

　　ZQ校准通过片上校准引擎(ODCE，On-DIE Calibration Engine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

　　除此之外，DDR3的特点还包括：参考电压分成两个、根据温度自动自刷新(SRT，Self-Refresh Temperature)、局部自刷新(RASR，Partial Array Self-Refresh)、点对点连接(P2P，Point-to-Point)，以及在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计。

　　DDR3内存性能到底有没有提升?

　　虽然在规格上DDR3内存要比DDR2更强一些，但是由于DDR3内存的延时增加，在同频率状态下反而不及DDR2内存，因此不少消费者对于DDR3还抱着观望的态度。那么，相对于DDR2内存，DDR3在性能方面到底有没有提升呢?

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