目前,市场上的内存厂商很多、内存产品的种类也很多。但是消费者一直在寻找一种具备断电后继续保存数据的DRAM产品。到目前为止,最好的一种解决方案就是将DRAM和闪存同时集成在一块芯片上,但是对于那些比较注重性能的用户而言,ST-MRAM(自旋扭矩磁性随机存储器)是一种不错的选择。
EVErspin刚刚宣布了其首款ST-MRAM,这款产品被集成在和DDR3外形尺寸一样的模块中,兼容JEDEC DDR3 1600规格,拥有最高3.2 GBytes/s的带宽以及纳秒级延迟。模块样品目前已经上市,而量产需要等到2013年。
有趣的是,早在20多年前,由于其不易挥发的特性,MRAM就被视为取代NAND闪存的潜在高性能产品。不过,从产品容量的角度来说,该技术还远远无法参与竞争。Everspin这次刚宣布的新品容量也仅有64Mb(8MB)。事实上,EVErspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb,制造工艺也是过时的180nm制程。相比之下,Intel最新的CPU采用22nm制程。
MRAM的优势在于其性能以及低功耗。在未来,内存技术有望超越闪存甚至是DRAM,达到SRAM的水平。只要获得与闪存和DRAM相同的投资力度以及存在同样大的市场需求,MRAM也有望称为未来主流内存产品。